紫外LED:替代p型掺杂

2018-02-23

Ultraviolet LEDs: an alternative to p-doping

Tyler A Growden, Weidong Zhang, Elliott R Brown, David F Storm, David J Meyer ,and et al.

Citation: Light: Science & Applications (2018) 7, e17150;

doi:10.1038/lsa.2017.150
Published online 23 February 2018

文章概要:紫外LED:替代p型掺杂

已经从单极GaN / AlN异质结构观察到窄带紫外电致发光。 自从20世纪90年代初实现GaN发光二极管以来,GaN光子学一直在稳步发展,但是p型GaN接触很难生长并且实现载流子的均匀注入,这是一个重大瓶颈。 现在,俄亥俄州立大学的Paul Berger及其同事开发了一种器件,通过使用双极隧穿方案进行电荷注入,从而消除了对p型GaN掺杂的需求。 器件的光发射以360纳米的波长为中心,并具有小于16纳米的窄的光谱宽度。 虽然这些器件具有微瓦规模的光功率和较低的量子效率,但该团队预计随后的优化可以提高其性能。